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国产高电压，大电流直流降压芯片AL8554.pdf

发布时间：2022-05-29 发布人：admin 分类：说明书 资料大小：1.68M 资料格式：pdf 举报 版权申诉
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    内置 150V/3A MOS 宽输入电压降压型 DC-DC AL8554 概述 AL8554 恒流功能。 AL8554 是一款支持宽电压输入的 开关降压型 DC-DC，芯片内置 150V/3A 功率 MOS，最高输入电压可超过 120V。 AL8554 具有低待机功耗、高效率、低纹 波、优异的母线电压调整率和负载调整率 等特性。支持大电流输出，输出电流可高 达 1.5A 以上。 同时支持输出恒压和输出 采用固定频率的 PWM 控制 方式，典型开关频率为 140KHz。轻载时 会自动降低开关频率以获得高转换效率。 AL8554 内部集成软启动以及过温 保护电路，输出短路保护，限流保护等功 能，提高系统可靠性。 AL8554 采用 ESOP8 封装，散热片 内置接 VIN 脚。 特点 应用 宽输入电压范围：8V~120V 输出电压从 4.2V 到 30V 可调 支持输出恒压恒流 支持输出 12V/1.5A，5V/1.5A 高效率：可高达 95% 工作频率：140KHz 低待机功耗 内置过温保护、输出短路保护 内置软启动 追踪器 恒压源 电动汽车、电动自行车、电瓶车 扭扭车、卡车 典型应用电路图 www.alsemi.com; 0755-23726010 1 of 7
    内置 150V/3A MOS 宽输入电压降压型 DC-DC 封装及管脚分配 管脚定义 管脚号 管脚名 描述 1 2 3 4 5 6 7 8 - VIN VDD FB1 FB2 VCC GND VSEN VSEND 散热片 内置 MOS 漏极，接输入电源 芯片电源 输出反馈电压正端采样 输出反馈电压负端采样 内部 5V LDO 输出，接电容。 芯片地 电感电流检测脚 内置 MOS 源极 内置接 VIN 脚 www.alsemi.com; 0755-23726010 2 of 7
    内置 150V/3A MOS 宽输入电压降压型 DC-DC 内部电路方框图 极限参数（注 1） 符 号 描述 参数范围 单位 VIN VDD Vmax PESOP8 TA TSTG TSD VESD VIN 端最大电压 VDD 端最大电压 FB1,FB2,VCC,VSEN,VSEND 脚电压 ESOP8 封装最大功耗 工作温度范围 存储温度范围 焊接温度范围（时间小于 30 秒） 静电耐压值（人体模型） 150 33 -0.3~6 1 -20~85 -40~120 240 2000 V V V W oC oC oC V 注 1：极限参数是指超过上表中规定的工作范围可能会导致器件损坏。而工作在以上极限条件下可能会影响器 件的可靠性。 www.alsemi.com; 0755-23726010 3 of 7
    内置 150V/3A MOS 宽输入电压降压型 DC-DC 电特性(除非特别说明，VDD =12V，TA =25oC) 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 电源电压 VDD 钳位电压 VDD IVDD<10mA 欠压保护开启 VDD_ON 欠压保护关闭 电源电流 工作电流 启动电流 功率管电流限流 VDD_OFF IOP ISTARTUP 过流保护阈值 输出电流与输出电压采样 VCS_LMT VSEN 电压降 FB1，FB2 电压差 开关频率 开关频率 内置 MOS VCS VFB FS MOS 管耐压 VDS VDD上升 VDD下降 VDD=5V MOS 管导通内阻 RDSON VGS=5V 过温保护 过温保护 过温保护迟滞 LDO OTP_TH OTP_HYS VCC 电压 VCC www.alsemi.com; 0755-23726010 33 4.5 3 1 40 100 V V V mA uA 300 mV 145 369 150 380 155 391 140 300 150 25 5.5 150 mV mV KHz V mΩ oC oC V 4 of 7
    内置 150V/3A MOS 宽输入电压降压型 DC-DC 典型应用测试数据 （1） VO=5V 效率与输入电压特性曲线 （2） VO=5V 静态电流与输入电压特性曲线 （3） VO=5V 输出电压与输入电压特性曲线 5 of 7
    内置 150V/3A MOS 宽输入电压降压型 DC-DC 应用指南 概述 AL8554 AL8554 是一款兼容宽输入电压范围的开关降压型DC-DC。芯片内置 150V/3A功率MOS。 采用固定频率的PWM峰值电流模控制方式，具有低待机功耗、快的响应速度，以 及优异的母线电压与负载调整率。典型开关频率为 140KHz。轻载时会自动降低开关频率以获 得高的转换效率。 同时支持输出恒压与输出恒流。 内部集成软启动以及过温保护电路，输 AL8554 AL8554 出短路保护，限流保护等功能，提高系统可靠性。 最大输出电流设置 最大输出电流通过连接于VSEN与GND之间的电阻设置（参见图 1 应用电路图）： IOUT MAX _ = VCS R 5 VCS 典型值为 150mV。例如 R5=100mOhm 则输出限流为 1.5A。 输出电压设置 通过连接于FB1，FB2 脚的分压电阻R1，R3，R2，R4 设置输出电压。电阻选择应满足R1=R2， R3=R4。 VOUT = R R 1* 3 + R 1 VFB 其中 VFB 典型值为 380mV。 电感取值 电感典型取值在 33uH到 100uH之间，大的电感值可获得小的纹波电流有助于提高效率。另 一方面需注意电感的ESR，ESR过大会降低效率。 过温保护 芯片内部集成过温保护，当芯片温度高过温保护点（典型值为 150 度）时，系统会关断功 率管，从而限制输入功率，增强系统可靠性。 www.alsemi.com; 0755-23726010 6 of 7
    内置 150V/3A MOS 宽输入电压降压型 DC-DC 封装信息 ESOP8 封装参数 www.alsemi.com; 0755-23726010 7 of 7
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