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最全LM386中文资料(嵌入式音频资料).pdf
LM386 中文资料 PDF
简介：LM386 中文资料 PDF 是专为低损耗电源所设计的功率放大器集成电路。它的内建增益为 20，透过 pin 1 和 pin8
位间电容的搭配，增益最高可达 200。LM386 可使用电 ...
是专为低损耗电源所设计的功率放大器集成电路。它的内建增益为 20，透过 pin 1 和 pin8 脚
位间电容的搭配，增益最高可达 200。LM386 可使用电池为供应电源，输入电压范围可由 4V
~12V，无作动时仅消耗 4mA 电流，且失真低。LM386 的内部电路图及引脚排列图如图 1、图
2 所示，表 1 为其电气特性。
图 1. 内部电路图
图 2 引脚功能图
极限参数：
电源电压
（LM386N-1，-3，LM386M-1）15V
电源电压（LM386N-4）22V
封装耗散
（LM386N）1.25W
（LM386M）0.73W
（LM386MM-1）0.595W
输入电压±0.4V
储存温度-65℃至+150℃
操作温度 0℃至+70℃
结温+150℃
焊接信息
焊接（10 秒）260℃
小外形封装（SOIC 和 MSOP）
气相（60 秒）215℃
红外（15 秒）220℃
热电阻
qJC （DIP）37℃/W
qJA （DIP）107℃/W
qJC （SO 封装）35℃/W
qJA （SO 封装）172℃/W
qJA （MSOP 封装）210℃/W
qJC （MSOP 封装）56℃/W
表 1. LM386 电气特性
Parameter 参数
测试条件
最小 典型 最大 单位
Operating Supply Voltage (VS)
操作电源电压
LM386N-1,-3,LM386M-1,LM386
-
MM-1
LM386N-4
Quiescent Current (IQ) 静态电流 VS = 6V, VIN =0
Output Power (POUT) 输出功率
-
-
4
-
12 V
-
4
18 V
8 mA
5
-
LM386N-1,LM386M-1,LM386MM-
1
VS = 6V, RL =8W, THD = 10% 250 325
-
mW
LM386N-3
LM386N-4
VS = 9V, RL =8W, THD = 10% 500 700
-
mW
VS=16V, RL =32W, THD = 10% 700 1000 -
mW
Voltage Gain (AV) 电压增益
VS = 6V, f = 1 kHz
10 μF from Pin 1 to 8
Bandwidth (BW) 宽带
VS = 6V, Pins 1 and 8 Open
26
46
300
-
-
-
dB
dB
kHz
Total Harmonic Distortion (TH
D)总谐波失 真
VS = 6V, RL =8W,POUT = 125
mW f = 1 kHz, Pins 1 and 8 Op
-
0.2
- %
en
Power Supply Rejection Ratio
(PSRR) 电源抑制比
VS=6V, f=1kHz, CBYPASS =10 μ
F Pins 1 and 8 Open,Referred to
-
50
-
dB
Output
Input Resistance (RIN) 输入电阻 -
Input Bias Current (IBIAS) 输入
偏置电流
VS = 6V, Pins 2 and 3 Open
LM386 低电压音频功率放大器的工作原理与典型应用电路图
概述(Description):
-
-
50
-
kΩ
250
-
nA
LM386 是美国国家半导体公司生产的音频功率放大器，主要应用于低电压消费类产品。为使外围元件最少，
电压增益内置为 20。但在 1 脚和 8 脚之间增加一只外接电阻和电容，便可将电压增益调为任意值，直至 2
00。输入端以地位参考，同时输出端被自动偏置到电源电压的一半，在 6V 电源电压下，它的静态功耗仅
为 24mW,使得 LM386 特别适用于电池供电的场合。
LM386 的封装形式有塑封 8 引线双列直插式和贴片式。
特性(Features):
* 静态功耗低，约为 4mA,可用于电池供电。
* 工作电压范围宽，4-12V or 5-18V。
* 外围元件少。
* 电压增益可调，20-200。
* 低失真度。
典型应用电路图
LM386 应用电路图之增益=20
LM386 应用电路图之增益=200
LM386 应用电路图之增益=50
LM386 应用电路图之低频提升放大器
LM386 作正弦波振荡器电路图
