第8章 变频电源原理与应用
第8章 变频电源原理与应用
8.1 变频电源
8.2 变频电源的硬件电路设计
8.3 系统软件设计
8.4 变频技术在交流调压中的应用研究
8.5 大功率中压变频技术及其对负载的影响
8.6 实现电动机带载启动的交/交变频技术
第8章 变频电源原理与应用
8.1 变频电源
8.1.1 变频电源技术
变频电源在人们的生产、生活和科研中发挥着重要的作
用。所谓变频,就是将直流或固定频率交流输入转变为频率
可变的交流输出。随着工业生产需求和科学技术的发展,变
频电源在多个领域内的应用越来越广泛,不同场合对变频电
源的要求也越来越高,这也促进了变频电源的飞速发展。
变频技术的发展源于对交流异步电机的调速。如今变频技术
已经不再局限于对电机的调速应用上,越来越多地应用在测
控仪器、精密功率电源、家用电器等领域中。
第8章 变频电源原理与应用
变频电源的发展是建立在电力电子器件与电力电子技术
不断进步的基础之上的。随着新型电力电子器件的不断涌
现,变频技术获得了飞速的发展。从变频器的发展需要出
发,大功率电力电子器件作为开关器件,其研究和应用为变
频技术打下了坚实的基础。这种开关器件具有优良的特性,
在正常开通状态下通流容量大,导通压降小;在正常关断情
况下,能承受高电压,漏电流小;在正常的开关状态下,开
通与关断时间短,即开关频率高,而且能承受高的du/dt;
有全控功能、寿命长、结构紧凑、体积小、散热性能良好等
优点。
第8章 变频电源原理与应用
早期的开关器件主要是晶体管SCR,其开关频率低,属于半控器
件,主要采用脉幅调制。它有许多缺点:谐波大、功率因数低、转速脉
动大、动态响应慢以及线路复杂。为了使晶体管具有关断能力,后来推
出了门极关断晶体管GTO,但是其关断控制较易失败,工作频率也不够
高,因此迅速被随之发展起来的大功率晶体管GTR所代替。GTR也有其
不足之处,由于是用电流信号进行驱动的,所需驱动功率较大,驱动系
统比较复杂,工作频率难以提高。功率场效应晶体管MOSFET的出现很
好地解决了以上问题,它用电压信号控制开通与关断,开关频率也较高。
绝缘栅双极晶体管IGBT是MOSFET和GTR相结合的产物,其控制部分
与场效应晶体管相同,电压控制,输入阻抗很高,而主电路部分则与
GTR相同,因此击穿电压与击穿电流很高,非常适宜用于功率开关。近
年来,又出现了智能功率模块IPM等模块化产品,为电源产品的设计和
应用提供了极大的方便。
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8.1.2 实现VVVF的基本调制方法
变频电源的发展始终伴随着变压过程,因此通常也称为变频变压电
源,即VVVF(Variable Voltage Variable Frequency)电源。当输入为直流
电时,又可称为逆变电源,即将直流电逆变成为幅频可调的交流电。
实现VVVF的基本调制方法有两种。第一种方法称为脉冲幅度调制
(Pulse Amplitude Modulation),简称PAM方式。该方法把VV与VF的过程
分开完成,在对交流电整流的同时进行相控调压,而后逆变为可调频率
的交流电,或者是把交流电整流为直流电之后用斩波器调压,然后再将
直流逆变为可调频率的交流电。第二种方法称为脉冲宽度调制(Pulse
Width Modulation),简称PWM方式。该方法是将VV与VF集中于逆变器
一起完成的,即前部为不可控整流器,中间产生恒定直流电压,最后由
逆变器完成变频变压过程。
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1. 脉幅调制(PAM)
脉幅调制过程如图8-1所示。由于逆变所得交流电压的
幅值等于前级直流电压值,因此实现变频又变压最简单的方
法便是在调节频率的同时也调节前级直流电压。设fN为调制
前的频率,TN为调制前的周期,UDN为调制前的直流电压,
调制前逆变电路的输出电压波形如图8-1(a)所示。根据脉幅
调制规则,则可以得到调制后逆变电路的输出电压波形如图
8-1(b)所示,其中,fX为调制后的频率,TX为调制后的周
期,UDX为调制后的直流电压。
第8章 变频电源原理与应用
图8-1 脉幅调制前后的输出电压波形
(a) 调制前; (b) 调制后
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VVVF控制技术发展的早期均采用PAM方式,由于当时
的半导体器件主要是以普通晶闸管为主,其开关频率不高,
属于半控器件,因此逆变电路输出的交流电压波形只能是方
波。而要使方波电压的有效值随输出频率的变化而改变,只
能靠改变方波的幅值,即只能依靠前面的环节来改变逆变电
路前级直流电压的大小。因此,变频电源在采用PAM方式
的时候,需要同时调节整流和逆变两个部分,并且两者之间
还必须满足一定的关系,故其控制电路比较复杂。这种方法
现在较少使用。