半壶水 STM32 开发板-III +JLINK V7,支持网络, 含 2.8 寸 TFT320*240 淘宝：http://shop58559908.taobao.com STM32 FLASH 模拟 EEPROM 使用和优化 原始文件 ST 官方有例子和文档：AN2594 http://www.st.com/mcu/familiesdocs-110.html 看到不少网上使用官方例子程序不成功的问题，我估计大概是没详细阅读官方文档的原因吧，也许很多人没理 解官方例子的原理。那么下面就详细说明一下原理再说如何优化。 原理如下： 首先使用 2 页 FLASH 空间，如果 0 页空间写满数据，那么把 0 页空间里面的【有效数据】复制到 1 页，如果 1 页数据满那么把 1 页空间里面的【有效数据】复制到 0 页，这样循环使用，当然如果你想增加使用寿命可以增 加多页循环，官方例子只是按 2 页实现的例子。每页前面 4 字节保留，其中前 2 字节是该页状态标志 下面的图显示数据在 FLASH 中的保存格式： 半壶水 QQ: 958664258 交流平台：http://blog.21ic.com/user1/5817/index.htm 

半壶水 STM32 开发板-III +JLINK V7,支持网络, 含 2.8 寸 TFT320*240 淘宝：http://shop58559908.taobao.com 保存数据是 16 位的，后面 16 位是该数据的虚拟地址，注意：1 个数据有唯 1 个虚拟地址，地址必须为：0~0xfffe 范围内（每页将按 4 字节分块，1 块保存 1 个 16 位数据）。下面继续说明 16 位虚拟地址的作用。 Figure 3 显示了数据更新的过程： 1. 写数据 假设保存的数据虚拟地址是 0X7777，那么程序写数据是从当前有效页页首地址开始查询虚 拟地址位置为 0XFFFF 的空间，如果是 0XFFFF 那么该位置可以保存数据；如果不是，那 么继续找下 1 个位置，如果本页无 0XFFFF 的空间那么表示本页已满，那么将本页【有效 数据】复制到另外 1 页继续保存数据。 当两次保存同一虚拟地址的数据时如右图所示：从上到下，第 2 个虚拟地址是 0X7777 对应 的数据 1245 才是有效的。清楚了这点，那么读数据要怎么处理基本就明白了。 2. 读数据 读数据时是从有效页的末尾地址开始检测是否是有效数据，如果是那么立即返回，程序是通过虚拟地址判断有 效数据的，第 1 个匹配的虚拟地址的数据才是有效的 3. 页满时处理数据 说到这里，看到不少使用例子程序不成功的问题，那么就请注意下面了，他们的错误估计是下面的原因造成的。 当 1 页写满时其实里面有很多无效数据，你只需要将【有效数据】复制到另外 1 页就成。如何复制有效数据呢？ 我想很多人估计忽略了 【#define NumbOfVar ((uint8_t)0x03) /* Variables' number */】，NumbOfVar 就是你程 序中实际要保存的数据量，这个必须与实际保持一致，不能多也不能少，这个如果不一致，那么在换页时将出 错，没换页之前倒是没问题的，原因在于：程序在换页时将根据 NumbOfVar 的值复制有效数据的个数，如果比 实际少，那么换页时将丢失数据，如果比实际多那么将出现旧数据覆盖最新数据 半壶水 QQ: 958664258 交流平台：http://blog.21ic.com/user1/5817/index.htm 

半壶水 STM32 开发板-III +JLINK V7,支持网络, 含 2.8 寸 TFT320*240 淘宝：http://shop58559908.taobao.com 错误的例子： /* Variables' number */ #define NumbOfVar ((uint8_t)0x05) uint16_t VirtAddVarTab[NumbOfVar] = {0, 1, 2}; //NumbOfVar 定义的比用的多实际是{0, 1, 2, 0, 0},虚拟地址 0 的数据换页后将出现旧数据覆盖最新数据 int main(void) { uint16_t temp; for (VarValue = 0; VarValue < 100; VarValue++) { EE_WriteVariable(VirtAddVarTab[0], VarValue+10); } for (VarValue = 0; VarValue < 500; VarValue++) { EE_WriteVariable(VirtAddVarTab[1], VarValue); temp=0; EE_ReadVariable(0, &temp);//不换页读出数据是对的，换页后读出数据错误 } } //==================================================================================== /* Variables' number */ #define NumbOfVar ((uint8_t)0x03) uint16_t VirtAddVarTab[NumbOfVar] = {0, 1, 2}; //NumbOfVar 定义为 3，下面用到虚拟地址超过 VirtAddVarTab 表里面的值 int main(void) { uint16_t temp; for (VarValue = 0; VarValue < 100; VarValue++) { EE_WriteVariable(VirtAddVarTab[0], VarValue); } for (VarValue = 0; VarValue < 50; VarValue++) { EE_WriteVariable(3, VarValue+2); } for (VarValue = 0; VarValue < 200; VarValue++) 半壶水 QQ: 958664258 交流平台：http://blog.21ic.com/user1/5817/index.htm 

半壶水 STM32 开发板-III +JLINK V7,支持网络, 含 2.8 寸 TFT320*240 淘宝：http://shop58559908.taobao.com { EE_WriteVariable(2, VarValue); temp=0; EE_ReadVariable(3, &temp);//不换页读出数据是对的，换页后读出数据错误 } } STM32 FLASH 模拟 EEPROM 使用注意： 不少人问该程序的 FLASH 保存数据多少和使用寿命 保存数据多少跟 FLASH 页大小有关，如果页大小是 1K 那么只能保存 1024/4-1=256-1 个 16 位数据，如果你保 存 8 位数，你可以 2 个 8 位数据组合后保存或者直接保存，如果保存 32 位数据那就拆成 2 个 16 位保存，当然 关于寿命 现在 STM32 的 FLASH 寿命是 10000 次， 如果你保存 255 个数据那么每次修改 1 个数据 FLASH 就要擦写 1 次，如果你保存 1 个数据，那么你修改 255 次该页才擦 1 次，继续用另外 1 页，建议保存数据个数不要超过 50%，当然如果你的数据基本都不修改你保存 255 个也是没有任何问题(你的数据都不修改根本不用关心寿命问题了：)。 STM32 FLASH 模拟 EEPROM 优化 官方例程中读写数据每次要查询读写位置，写数据是从页首地址开始查询，读地址是从页末地址查询。 假如只有 1 个数据，读数据时效率是很低的，要查到最后才能找到有效数据， 如果页快满了写数据效率也很低，读效率反而好一点了。 实际程序中记录下一个可以写数据的位置将提高数据的读写效率，这样的话：写数据就是立即写不用查询，读 数据不从页末地址查询，而是从最后 1 个写入数据处查询，这样特别在页数据少时效率提高不少。优化过的例 子代码只需要增加很少部分就能实现。 增加关键代码 uint32_t CurWrAddress; //初始化写地址，减少每次读写时查询时间 uint16_t InitCurrWrAddress(void) 详细请看修改后的例子，读写函数也做了相应更改 STM32 FLASH 模拟 EEPROM 进一步优化 上面优化过的例子在写数据无须查询直接写入就可，但是读数据在页数据少是效率提升明显，在页数据多时效 率不明显，特别是页数据快满时就跟原来一样的。 说明：不管是官方还是优化过的例子在页交换时这个模拟 EEPROM 程序都将耗费不少时间的 如果你对时间要求不高完全不用考虑下面的了。 下面就进一步提升它的效率，方法如下： 为每 1 个保存的变量定义 1 个映射地址，就是在写数据时将写数据的地址偏移保存起来。比如 第 1 次的数据映射地址是 0，第 2 次的数据映射地址是 1，那么读数据时就可以立即计算出地址。 此方法对于 1K 页大小的每个数据将增加 1 个 8 位映射地址，对于 2K 页大小的每个数据将增加 1 个 16 位映射地址. 这里只提供方法，当然方法不是唯一的，有兴趣的自己去玩。 半壶水 QQ: 958664258 交流平台：http://blog.21ic.com/user1/5817/index.htm